Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
reaktives Ionenätzen — reaktyvusis joninis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion etching; reactive ion milling vok. reaktives Ionenätzen, n rus. реактивное ионное травление, n pranc. décapage ionique réactif, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Anlage für reaktives Ionenätzen — reaktyvusis joninis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Beständigkeit gegen reaktives Ionenätzen — atsparumas reaktyviajam joniniam ėsdinimui statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion etch resistance vok. Beständigkeit gegen reaktives Ionenätzen, f rus. стойкость к реактивному ионному травлению, f pranc. résistance au… … Radioelektronikos terminų žodynas
Reaktives Ionentiefenätzen — (englisch deep reactive ion etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (dem Verhältnis von… … Deutsch Wikipedia
RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen … Deutsch Wikipedia
LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
Halbleitertechnologie — Die Halbleitertechik definiert sich historisch und aufgrund der Verwendung der Produkte als Schlüsselkomponenten in elektrotechnischen Erzeugnissen als Teilgebiet der Elektrotechnik. Trifft man die Zuordnung aufgrund der eingesetzten Methoden und … Deutsch Wikipedia
Halbleitertechnik — Die Halbleitertechnik definiert sich historisch und aufgrund der Verwendung der Produkte als Schlüsselkomponenten in elektrotechnischen Erzeugnissen als Teilgebiet der Elektrotechnik (speziell der Mikroelektronik). Trifft man die Zuordnung… … Deutsch Wikipedia
